Jun 16, 2012 · SAB指的是salicide block0 Salicide中文翻译过来就叫硅化物，其实是比较薄的一层金属和多晶的合金体，其主要目的是在多晶硅或者diffusion表面相对比较薄的一层上面生长出 ... SAB层的理解 ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

Nov 3, 2021 · 沉积SAB膜层：在半导体器件表面淀积一层氮化硅（SiN）层，然后在氮化硅层上面淀积一层SAB膜。 这一步骤是为了在后续的刻蚀过程中保护半导体器件的敏感区域，同时为金属硅化物的形成提供基础 [22]。

Sep 23, 2010 · [讨论] 做带隙基准，应该选哪种电阻，选电阻的原则是什么？ [复制链接]

Aug 13, 2013 · 我看pdk好像ckt是subckt的意思，这一层有什么用呢？带ckt后缀的器件和不带的有什么差别？一般什么时候需要用到带ckt后缀的器件啊？pdk中也没解释这个，比如mim1和mim1_c ... smic中带有ckt后缀的器件是什么意思？ ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

Jul 22, 2021 · SAB层用来阻止sailicide的生成，从而得到阻值较高的diffusion或者poly电阻。 常用在poly电阻，diffusion电阻，ESD device的 Drain端，提高其电阻和耐压。 EETOP创芯人才网简历投递入口 回复 支持 5 反对 0 举报 m8510a m8510a 当前离线 积分 9600 8# 发表于 2023-11-22 19:07:10| 只看该 ...

Aug 10, 2023 · drain断加SAB主要有三个原因。 一个就是大家熟知的，增加镇流电阻，提高Vt2，改善导通均匀性；一个是考虑散热，drain端是高压高电流，热集中，需要加宽；还有一个是Silicide 熔点低，容易提前熔化降低ESD性能，能去掉的地方就去掉。

Sep 7, 2023 · 而加SAB的目的不也是为了增大Drain端电阻Rd吗？ 那为啥加SAB可以解决GGNMOS不均匀的问题，而拉宽Drain就不行了呀？ ②还有就是为啥加大了Rd就可以解决不均匀导通的问题了呀？ 这是啥原理呀？ EETOP创芯人才网简历投递入口 回复 支持 反对 举报 农民赵 农民赵 当前 ...

Aug 10, 2016 · 刚刚接触BJT工艺， NPN,PNP 电路symbol 是三端器件， 而调用的layout是4端， 有个S端衬底，这个衬底接什么呢？是悬空，还是和其中的一端接在一起，像MOS管那样? ... BJT工艺，NPN,PNP 衬底接什么电位？ ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

适马这支镜头的一代、二代镜头结构其实是基本相同的，根据SAB的评测来看，二代镜头画质相比一代有所提升，不排除有光路优化。 总的来说，在6100万像素上的锐度表现与24-70GM2相差无几了。

Jun 18, 2021 · 我发现在工艺库中N管模型有很多种，例如n18，n18_ckt，n18_ckt_3t等但不太理解其具体的含义，所以我去查找了018的模型技术手册，可以看到下面这样的解释可以理解为1.8V ... smic018工艺中各种MOS模型的区别 ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)