Nov 12, 2021 · 为了曝光SU-8光刻胶，必须使用波长为365nm的紫外光。 曝光波长的变化可以改变光刻胶层发生交联所需要的能量，有时候，也可以通过调整曝光时间来改变光刻胶层交联反应所需要的能量。

Aug 31, 2017 · SU-8的光刻机理简述如下: 光刻胶中的光引发剂吸收光子发生了光化学反应, 生成一种强酸, 其作用是在中烘过程中作为酸催化剂促进交 联反应的发生。只有曝光区域的光刻胶中才含有强酸, 而未曝光的区域则没有这种强酸的存在。

Oct 14, 2022 · 本文介绍了SU-8光刻工艺中的关键步骤：确定膜厚、曝光光强及显影时间。 这些参数对于确保最终产品的质量和性能至关重要。

Mar 31, 2024 · 本文介绍了SU-8光刻胶的起源、曝光过程、材料特性和加工方法。

Mar 14, 2016 · 研究了改变 光源的波长和曝光量对SU一8光刻胶成形的影响，揭示了在一定范围内线宽随曝光量非线性变化的规律。 从 聚合度和聚合所得高分子结构两方面对该变化规律给出了合理的解释，并基于该变化规律提出了一种新的消 除微结构倒角的方法。

Jan 28, 2016 · 摘要:研究了在透光性基底上直接光刻SU8光刻胶制作可实现光集成微流控芯片的工艺,讨论了基底厚度、透光性和样品承载台表面反射性等因素对透光性基底上SU8光刻图形质量的影响。

Dec 14, 2014 · 研究了改变光源的波长和曝光量对S U 一8 光刻胶成形的影响， 揭示了在一定范围内线宽随曝光量非线性变化的规律。

1、光刻：制备掩膜版、旋涂光刻胶，采用常规365nm的波长曝光。 可通过添加抗反射涂层到衬底上减少不必要的反射，以实现更准确的特征尺寸控制，同样地，SU-8也可以通过结合紫外线光刻技术和立体光刻技术，实现SU-8三维结构的制造。

Jun 20, 2025 · SU-8光刻胶在近紫外光（365nm-400nm）范围内光吸收度很低，整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，因此可以得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形。

May 4, 2024 · 本文介绍了SU-8光刻胶的起源、曝光过程、材料特性和加工方法。